Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization, Second Edition

Автор: harun54 от 14-02-2019, 16:30, Коментариев: 0

Категория: КНИГИ » АППАРАТУРА

Название: Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization, Second Edition
Автор: John E. Ayers and Tedi Kujofsa
Издательство: CRC Press
Год: 2016
Формат: PDF
Размер: 12 Мб
Язык: английский / English

In the past ten years, heteroepitaxy has continued to increase in importance with the explosive growth of the electronics industry and the development of a myriad of heteroepitaxial devices for solid state lighting, green energy, displays, communications, and digital computing. Our ever-growing understanding of the basic physics and chemistry underlying heteroepitaxy, especially lattice relaxation and dislocation dynamic, has enabled an ever-increasing emphasis on metamorphic devices.

To reflect this focus, two all-new chapters have been included in this new edition. One chapter addresses metamorphic buffer layers, and the other covers metamorphic devices. The remaining seven chapters have been revised extensively with new material on crystal symmetry and relationships, III-nitride materials, lattice relaxation physics and models, in-situ characterization, and reciprocal space maps.




ОТСУТСТВУЕТ ССЫЛКА/ НЕ РАБОЧАЯ ССЫЛКА ЕСТЬ РЕШЕНИЕ, ПИШИМ СЮДА!


Нашел ошибку? Есть жалоба? Жми!
Пожаловаться администрации
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.