Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники

Автор: Igor1977 от 13-06-2019, 10:21, Коментариев: 0

Категория: КНИГИ » ЕСТЕСТВЕННЫЕ НАУКИ


Название: Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники
Автор: Кузнецов Ф.А.
Издательство: Новосибирск: Сибирское отделение РАН
Год: 2013
Формат: pdf
Страниц: 176
Размер: 50 mb
Язык: Русский

В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании MO CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Cu, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе HfO2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики).




ОТСУТСТВУЕТ ССЫЛКА/ НЕ РАБОЧАЯ ССЫЛКА ЕСТЬ РЕШЕНИЕ, ПИШИМ СЮДА!


Нашел ошибку? Есть жалоба? Жми!
Пожаловаться администрации
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.