
Автор: Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф.
Издательство: М.: Мир
Год: 1985
Формат: pdf
Страниц: 416
Размер: 19,2 Мб
Язык: Русский
Обзор (американских и японских физиков) электронных свойств инверсионных и обогащенных слоев на границах раздела полупроводник - диэлектрик, а также других систем, проявляющих двумерный характер, таких, как электроны в полупроводниковых гетеропереходах и сверхрешетках и на поверхности жидкого гелия.
