Автор: Айсберг Е.
Название: Транзистор?.. Это очень просто! Перевод с французского Издание 3, дополненное. Массовая радиобиблиотека, выпуск 809
Издательство: М:, Энергия
Год: 1972
Страниц: 146
Формат: DJVU, PDF
Размер: 10 МБ
Книга содержит четырнадцать занимательных бесед, написанных в форме разговора между двумя действующими лицами. Книга рассчитана на широкий круг читателей.
Содержание:
Выходные данные 4
Предисловие к русскому изданию 3
Предисловие автора 4
Действующие лица 6
Беседа первая. Жизнь атомов 7
Полупроводники. Принцип работы и преимущества транзистора. Влияние температуры на транзисторы. Пределы по частоте и по мощности. Молекулы. Атомы. Протоны, нейтроны и электроны. Распределение электронов по оболочкам. Ионизация. Валентное число. Кристаллическая решетка. 7
Беседа вторая. Переходы 18
Собственная проводимость. Фоторезисторы и фотоэлементы. Примеси. Доноры. Дырки. Акцепторы. Полупроводники типов р и п. Переход. Потенциальный барьер. Прямое и обратное напряжения. Напряжение пробоя. Диод. Выпрямление тока полупроводниками. 18
Беседа третья. Добрый день, транзистор! 28
Транзисторы структур p-n-p и n-p-n. Ток покоя. Ток базы. Транзисторный эффект. Усиление тока. Аналогия лампа — транзистор. Входное и выходное сопротивления. Усиление напряжения. Питание транзистора. 28
Беседа четвертая. Физика транзисторов 36
Движение зарядов. Основные носители. Принцип работы - транзистора структуры p-n-p. Интерметаллические соединения. Обозначение выводов. Условные обозначения транзистора. Краткое изложение основных понятий. 36
Беседа пятая. Немного технологии 43
Очистка методом зонной плавки. Высокочастотный нагрев. Выращивание монокристалла. Резка монокристалла. Метод изготовления «тянутых» переходов. Сплавные транзисторы. Проблема мощных транзисторов. Метод диффузии. Время пробега. Емкости р-п переходов. Полупроводниковый тетрод. Поверхностно-барьерные транзисторы. Метод двойной диффузии. Дрейфовый транзистор структуры p-n-p. Меза-транзистор. Полевой транзистор. 43
Беседа шестая. Царство кривых 56
Схема для снятия характеристик. Характеристики Iб = f(Ue) и Iк=/(Uб). Крутизна. Усиление по току. Входное сопротивление. Связь между крутизной, внутренним сопротивлением и усилением по току. Насыщение. Семейство характеристик. Аналогия с пентодом. Предельная мощность. Выходное сопротивление. Определение параметров по семейству статических характеристик. 56
Беседа седьмая. Прямые и кривые 66
Статические и динамические характеристики. Вычерчивание нагрузочной прямой. Рабочая точка. Усиление по току, напряжению и мощности. Максимальные значения переменной составляющей. Область насыщения. Выбор сопротивления нагрузки. Динамическая крутизна. Подача смещения. 66
Беседа восьмая. Клин клином 75
Преимущества схем с обратной связью. Обратная связь по току и по напряжению. Схемы на лампах и на транзисторах. Влияние обратной связи на входное и выходное сопротивления. Фазовые искажения, вносимые транзисторами. Внутренняя обратная связь. Появление искажений при повышении температуры и их ослабление с помощью обратной связи. Применение терморезисторов. 75
Беседа девятая. ОЭ—ОБ—ОК 85
Ламповые схемы с заземленным катодом, сеткой или анодом. Транзисторные схемы с общим эмиттером, общей базой или общим коллектором. Усиление по току и напряжению в трех основных типах схем. Их входные и выходные сопротивления. Сводная таблица характеристик трех схем включения транзисторов. 85
Два письма. Вопросы согласования 93
Источник и режим его нагрузки. Электродвижущая сила и внутреннее сопротивление. Напряжение на зажимах. Генератор напряжения. Генератор тока. Оптимальные условия передачи мощности. Согласование сопротивлений. Применение трансформатора. Оптимальный коэффициент трансформации. 93
Беседа десятая. Связи всех видов 98
Основные схемы с транзисторами структуры n-p-n. Преимущества и недостатки трансформаторной связи. Регулировка громкости звука. Резистивно-емкостная связь. Емкость конденсатора связи. Схема с непосредственной связью. Усилитель постоянного тока. Схема с дополнительной симметрией. Тандем из двух транзисторов. 98
Беседа одиннадцатая. Экономия и мощность 108
Выбор рабочей точки. Экономическая схема с плавающей рабочей точкой. Двухтактный усилитель в режиме В. Поворот фазы с помощью трансформатора. Фазоинвертор. Катодный повторитель на транзисторах. Двухтактный усилитель с дополнительной симметрией. Практическая схема выходного каскада. 108
Беседа двенадцатая. Область высоких частот 116
Граничная частота. Межкаскадная связь с помощью колебательных контуров. Затухание. Каскады высокой и промежуточной частоты. Емкость коллектор — база. Схема нейтрализации. Автоматическая регулировка усиления. Изменения внутренних емкостей и сопротивлений транзистора. Усиленная автоматическая регулировка усиления. 116
Беседа тринадцатая. От высокой к промежуточной, а затем к низкой частоте 123
Диодное детектирование. Практические схемы. Детектирование с помощью транзистора. Регенеративный детектор. Схемы генераторов. Преобразование частоты с отдельным гетеродином и при помощи одного транзистора. 123
Беседа четырнадцатая. Вагоны и поезда 129
Полная схема приемника. Ферритовая антенна. Разнообразные применения транзисторов. Преобразователь постоянного тока. Будущее транзисторов. 129
Микроэлектроника 134
Письмо Любознайкина к Незнайкину 134
Предисловие к русскому изданию 3
Предисловие автора 4
Действующие лица 6
Беседа первая. Жизнь атомов 7
Полупроводники. Принцип работы и преимущества транзистора. Влияние температуры на транзисторы. Пределы по частоте и по мощности. Молекулы. Атомы. Протоны, нейтроны и электроны. Распределение электронов по оболочкам. Ионизация. Валентное число. Кристаллическая решетка. 7
Беседа вторая. Переходы 18
Собственная проводимость. Фоторезисторы и фотоэлементы. Примеси. Доноры. Дырки. Акцепторы. Полупроводники типов р и п. Переход. Потенциальный барьер. Прямое и обратное напряжения. Напряжение пробоя. Диод. Выпрямление тока полупроводниками. 18
Беседа третья. Добрый день, транзистор! 28
Транзисторы структур p-n-p и n-p-n. Ток покоя. Ток базы. Транзисторный эффект. Усиление тока. Аналогия лампа — транзистор. Входное и выходное сопротивления. Усиление напряжения. Питание транзистора. 28
Беседа четвертая. Физика транзисторов 36
Движение зарядов. Основные носители. Принцип работы - транзистора структуры p-n-p. Интерметаллические соединения. Обозначение выводов. Условные обозначения транзистора. Краткое изложение основных понятий. 36
Беседа пятая. Немного технологии 43
Очистка методом зонной плавки. Высокочастотный нагрев. Выращивание монокристалла. Резка монокристалла. Метод изготовления «тянутых» переходов. Сплавные транзисторы. Проблема мощных транзисторов. Метод диффузии. Время пробега. Емкости р-п переходов. Полупроводниковый тетрод. Поверхностно-барьерные транзисторы. Метод двойной диффузии. Дрейфовый транзистор структуры p-n-p. Меза-транзистор. Полевой транзистор. 43
Беседа шестая. Царство кривых 56
Схема для снятия характеристик. Характеристики Iб = f(Ue) и Iк=/(Uб). Крутизна. Усиление по току. Входное сопротивление. Связь между крутизной, внутренним сопротивлением и усилением по току. Насыщение. Семейство характеристик. Аналогия с пентодом. Предельная мощность. Выходное сопротивление. Определение параметров по семейству статических характеристик. 56
Беседа седьмая. Прямые и кривые 66
Статические и динамические характеристики. Вычерчивание нагрузочной прямой. Рабочая точка. Усиление по току, напряжению и мощности. Максимальные значения переменной составляющей. Область насыщения. Выбор сопротивления нагрузки. Динамическая крутизна. Подача смещения. 66
Беседа восьмая. Клин клином 75
Преимущества схем с обратной связью. Обратная связь по току и по напряжению. Схемы на лампах и на транзисторах. Влияние обратной связи на входное и выходное сопротивления. Фазовые искажения, вносимые транзисторами. Внутренняя обратная связь. Появление искажений при повышении температуры и их ослабление с помощью обратной связи. Применение терморезисторов. 75
Беседа девятая. ОЭ—ОБ—ОК 85
Ламповые схемы с заземленным катодом, сеткой или анодом. Транзисторные схемы с общим эмиттером, общей базой или общим коллектором. Усиление по току и напряжению в трех основных типах схем. Их входные и выходные сопротивления. Сводная таблица характеристик трех схем включения транзисторов. 85
Два письма. Вопросы согласования 93
Источник и режим его нагрузки. Электродвижущая сила и внутреннее сопротивление. Напряжение на зажимах. Генератор напряжения. Генератор тока. Оптимальные условия передачи мощности. Согласование сопротивлений. Применение трансформатора. Оптимальный коэффициент трансформации. 93
Беседа десятая. Связи всех видов 98
Основные схемы с транзисторами структуры n-p-n. Преимущества и недостатки трансформаторной связи. Регулировка громкости звука. Резистивно-емкостная связь. Емкость конденсатора связи. Схема с непосредственной связью. Усилитель постоянного тока. Схема с дополнительной симметрией. Тандем из двух транзисторов. 98
Беседа одиннадцатая. Экономия и мощность 108
Выбор рабочей точки. Экономическая схема с плавающей рабочей точкой. Двухтактный усилитель в режиме В. Поворот фазы с помощью трансформатора. Фазоинвертор. Катодный повторитель на транзисторах. Двухтактный усилитель с дополнительной симметрией. Практическая схема выходного каскада. 108
Беседа двенадцатая. Область высоких частот 116
Граничная частота. Межкаскадная связь с помощью колебательных контуров. Затухание. Каскады высокой и промежуточной частоты. Емкость коллектор — база. Схема нейтрализации. Автоматическая регулировка усиления. Изменения внутренних емкостей и сопротивлений транзистора. Усиленная автоматическая регулировка усиления. 116
Беседа тринадцатая. От высокой к промежуточной, а затем к низкой частоте 123
Диодное детектирование. Практические схемы. Детектирование с помощью транзистора. Регенеративный детектор. Схемы генераторов. Преобразование частоты с отдельным гетеродином и при помощи одного транзистора. 123
Беседа четырнадцатая. Вагоны и поезда 129
Полная схема приемника. Ферритовая антенна. Разнообразные применения транзисторов. Преобразователь постоянного тока. Будущее транзисторов. 129
Микроэлектроника 134
Письмо Любознайкина к Незнайкину 134