Интегральные микросхемы энергонезависимой памяти 28F008SA, 28F008SA-L

Автор: khakiwolf от 19-08-2017, 11:59, Коментариев: 0

Категория: КНИГИ » ТЕХНИКА


Название: Интегральные микросхемы энергонезависимой памяти 28F008SA, 28F008SA-L
Автор: В. В. Затишной
Издательство: М.: Бином, Конкорд
Год: 1992
Страниц: 80
Язык: русский
Формат: pdf, djvu
Размер: 10.2 Мб

Книга посвящена микросхемам энергонезависимой памяти. Новые изделия флэш-памяти имеют однотранзисторную ячейку с двухслойным поликремниевым затвором. Ячейка флэш-памяти, изготовленная по технологии ЕТОХIII, выдерживает не менее 100000 циклов записи/стирания. С целью дальнейшего расширения жизненного цикла в новых разработках флэш-памяти реализована блочная структура накопителя, стирание производится во всех ячейках блока одновременно за счёт туннелирования электронов через окисел в затвор. Для записи байта данных, как и в ППЗУ с ультрафиолетовым стиранием; используется инжекция горячих электронов. Новые изделия флэш-памяти по быстродействию и стоимости приближаются к динамическим ОЗУ, сохраняя существенное преимущество - энергонезависимость. Подробно описаны микросхемы РПЗУ с электрическим стиранием информации 28FOO8SA и 28FOO8SA-L фирмы Intel: КМОП технология, емкость 8 Мбит с организацией 1М х 8, время выборки 85мс, минимум 100000 циклов репрограммирования.






ОТСУТСТВУЕТ ССЫЛКА/ НЕ РАБОЧАЯ ССЫЛКА ЕСТЬ РЕШЕНИЕ, ПИШИМ СЮДА!


Нашел ошибку? Есть жалоба? Жми!
Пожаловаться администрации
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.